芯淮电子为客户提供MEMS加工、设计、咨询等服务。其技术支持范围包括MEMS器件结构设计与模拟、可行性分析；提供MEMS 晶圆加工工艺以及单步工艺加工服务，如光刻、热氧化、离子注入、反应离子刻蚀（用于金属薄膜如Al、Ni、Cr、Ti等、poly和Ⅲ-Ⅴ族化合物）、反应离子刻蚀（SiO2、Si3N4、非晶硅、SiON、SiC）、PECVD（SiO2、Si3N4、非晶硅、SiC、SiON、）、LPCVD（SiO2、Si3N4、Poly）、磁控溅射（Au、Ni、Ag、Cr、 Cu、Al、Ti、Pt、Pd、Zn、Ta、Mo、W、CO、TiW、PZT和压电薄膜AlN）电子束蒸发（Au、AuGe 、Pt、 Al、 Ti、Cr、Ni、Ag、Mg等）、深硅刻蚀、电镀、快速退火、真空退火、CMP（减薄、研磨、抛光）、MOCVD 砷化镓、磷化铟外延生长、切割、键合、电阻率和方块测试、SEM、XRD、EDS、SIMS等测试，同时按照客户要求，协助加工晶圆级样品等加工服务。

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